集成电路芯片及其制作方法

摘要

本发明公开了一种包括再布线层和焊接凸起结构的集成电路芯片及其制作方法。所述集成电路芯片通过在再布线层的侧面或者侧面以及上表面覆盖绝缘介质层，从而避免了钝化层和塑封料之间的非紧密直接接触。本发明公开的集成电路芯片通过绝缘介质层与塑封料的紧密接触，避免了铜离子迁移通路的形成。

主权项

一种集成电路芯片，包括：衬底，制作有集成电路和金属层，其中金属层电气耦接至集成电路；钝化层，覆盖在衬底上；通孔，位于钝化层中；再布线层，分布于通孔和部分钝化层上，通过通孔电气耦接至金属层，再布线层具有侧面和上表面；绝缘介质层，分布在再布线层的侧面上；以及焊接凸起结构，分布在再布线层上表面的部分区域上。