一种高阻片式薄膜电阻及其制备方法

摘要

本发明公开了一种高阻片式薄膜电阻及其制备方法，所述方法包括以下步骤：(1)将印刷有阻挡层或掩膜层的基片，安装于双离子溅射镀膜机上，装入高阻CrSi靶材，开启双离子溅射镀膜机；(2)当本底真空度达到5.0×10^-4Pa～2.0×10^-3Pa，开启基片旋转装置，使得基片旋转；(3)通入Ar气体，开启清洗离子源各级电源，开始对基片进行清洗；(4)基片清洗完毕后，基片加热温度设置为150℃～250℃；(5)通入Ar气体、氮气，同时开启溅射离子源各级电源以及辅助离子源各级电源，溅射3min～20min；(6)溅射后的基片在温度为350℃～450℃下烘烤2h～8h；(7)采用薄膜激光调阻机对产品进行调阻，制得所述高阻片式薄膜电阻。本发明具有较低的低温度系数以及很好的稳定性。

主权项

一种高阻片式薄膜电阻的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将印刷有阻挡层或掩膜层的基片，安装于双离子溅射镀膜机上，装入高阻CrSi靶材，开启双离子溅射镀膜机；(2)当本底真空度达到5.0×10^‑4Pa～2.0×10^‑3Pa，开启基片旋转装置，使得基片旋转；(3)通入Ar气体，开启清洗离子源各级电源，开始对基片进行清洗；(4)基片清洗完毕后，基片加热温度设置为150℃～250℃；(5)通入Ar气体、氮气，同时开启溅射离子源各级电源以及辅助离子源各级电源，溅射3min～20min；(6)溅射后的基片在温度为350℃～450℃下烘烤2h～8h；(7)采用薄膜激光调阻机对产品进行调阻，制得所述高阻片式薄膜电阻。