| 发明名称 | 具有纳米结构的图案的透光性导电体及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种透光性导电体包括基板及位于所述基板上的导电层，所述导电层包括导电性物质，所述导电层具有纳米结构体交叉排列形成的对应于网的图案。 | ||
| 申请公布号 | CN106133847A | 申请公布日期 | 2016.11.16 |
| 申请号 | CN201480077699.X | 申请日期 | 2014.10.31 |
| 申请人 | 英树株式会社 | 发明人 | 郑京浩 |
| 分类号 | H01B5/14(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I | 主分类号 | H01B5/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 杨贝贝;臧建明 |
| 主权项 | 一种透光性导电体，包括：基板；以及导电层，其位于所述基板上，所述导电层包括导电性物质，所述导电层具有纳米结构体交叉排列形成的对应于网的图案。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道军浦市 | ||