高导电性无机、金属掺杂多层结构透明导电薄膜的制备方法

摘要

本发明提供一种高导电性无机、金属掺杂多层结构透明导电薄膜的制备方法。本发明采用无机半导体材料和金属材料的混合物作为介质层制备的介质/金属/介质多层结构透明导电薄膜。通过改变无机半导体材料和金属材料的混合比例实现对介质/金属/介质多层结构透明导电薄膜功函数的有效调节，解决了一种无机半导体材料作为介质层的多层结构透明导电薄膜功函数单一的问题，大大增加了介质层材料的选择范围。本发明的高导电性无机、金属掺杂多层结构透明导电薄膜具有较高的可见光透过率以及较低的面电阻；由于其表面功函数可调，因此可满足更多光电器件对透明电极的要求，更有利于介质/金属/介质多层结构透明导电薄膜在不同结构光电器件中的应用。

主权项

一种高导电性无机、金属掺杂多层结构透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤i、在刚性或柔性平面基板上制备第一共混层；步骤ii、在所述的第一共混层上制备金属层；步骤iii、在所述的金属层上制备第二共混层；所述第一共混层和所述第二共混层的材料分别为：任意一种或多种无机半导体材料，与任意一种或多种金属材料的混合物；所述第一共混层和所述第二共混层的材料分别为：三氧化钼(MoO₃):Al的混合物；三氧化钨(WO₃):Ag的混合物；氧化镍(NiO):Au的混合物；五氧化二钒(V₂O₅):Cu的混合物；MoO₃:WO₃:Al的混合物；NiO:V₂O₅:Ag的混合物；MoO₃:Al:Ag的混合物；MoO₃:WO₃:Al:Ag的混合物；MoO₃:WO₃:V₂O₅:Al:Ag:Au的混合物；或MoO₃:WO₃:V₂O₅:NiO:Al:Ag:Au:Cu的混合物。