用于氮化镓晶体管的离子植入及自行对准栅极结构

摘要

一种自行对准的晶体管栅极结构，包括在每一侧由非植入的栅极材料所环绕的栅极材料的离子植入部分。所述栅极结构，例如，可通过在氮化镓铝阻挡层上形成氮化镓材料层，并植入所述氮化镓层的一部分而构成，以产生由所述氮化镓层横向环绕的所述栅极结构。

主权项

一种形成具有自行对准栅极的晶体管的方法，所述方法包括：在基板上形成过渡层；在所述过渡层上形成氮化镓缓冲层；在所述氮化镓缓冲层上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成栅极层，其中所述栅极层未掺杂；在所述栅极层上形成电介质层；形成穿过所述电介质层至所述栅极层的开口，以暴露所述栅极层的一部分；穿过所述电介质层中的所述开口执行包含p型杂质的离子植入制程，以形成所述栅极层的离子植入区域，其中所述离子植入区域界定了栅极区域以及用于减少电流泄漏的所述栅极区域外部的非离子植入区域；利用穿过所述电介质层的所述开口在所述栅极区域上进行栅极金属材料的无掩模自行对准沉积，以界定与所述栅极区域自行对准的栅极金属；以及形成欧姆漏极及源极电接触区域。