一种双空腔压力计芯片及其制造工艺

摘要

本发明涉及传感器领域，特别涉及一种双空腔压力计芯片以及其制造方法。一种压力计，包括腔体、以及设置在所述腔体内的压力计芯片；所述压力计芯片在所述腔体内受被检测的外界压力均匀压缩并且能够自由的产生形变。所述压力计芯片基本由单晶硅制成，包括相互连接的盖板、基板及底板；所述盖板上形成有凹陷部，并与所述基板形成一个密封的上空腔，所述基板与所述盖板之间形成有氧化硅层；所述基板包括压阻测量元件，所述压阻测量元件位于所述上空腔之内；所述底板上形成有凹陷部，并与所述基板形成一个密封的下空腔。本压力计芯片适合测量超高压力，受温度影响较小，可以在高温的环境中使用，而且具有检测精度高、可靠性高、制造成本低等特点。

主权项

一种压力计芯片，包括相互键合的盖板、基板及底板，所述压力计芯片由单晶硅制成，其特征在于：所述盖板上形成有凹陷部，所述凹陷部与所述基板键合形成一密封的上空腔，所述底板上形成有凹陷部，并与所述基板键合形成一密封的下空腔；所述基板设置在所述上空腔和下空腔之间，并间隔所述上空腔及下空腔；所述基板与所述盖板之间形成有氧化硅层；所述上空腔与所述下空腔的投影面相互重叠；所述基板上设置有至少两组压阻测量元件，所述压阻测量元件位于所述上空腔和所述下空腔的投影面积内，两组压阻测量元件之间相互垂直，每组所述压阻测量元件沿不同的晶体方向设置。