| 摘要 |
본 발명은, 접합 SOI웨이퍼를 제조하는 방법에 있어서, 실리콘산화막을, 배치식 열처리로를 사용하여, 적어도 승온중에서의 열산화와 강온중에서의 열산화 중 적어도 일방을 포함하는 열산화처리를 행함으로써, 박리 후의 접합 SOI웨이퍼의 매립산화막이 동심원형상의 산화막두께 분포가 되도록 형성하고, 다시, 본드웨이퍼의 박리 후의 접합 SOI웨이퍼에 환원성 열처리를 행함으로써, 매립산화막의 막두께 레인지를 환원성 열처리 전의 막두께 레인지보다 작게 하는 것을 특징으로 하는 접합 SOI웨이퍼의 제조방법이다. 이에 따라, SOI층 박리 후에 행하는 환원성 열처리에 의해 발생하는 매립산화막두께의 면내분포의 불균일을 억제할 수 있는 접합 SOI웨이퍼의 제조방법이 제공된다. |
