氧化亚铜半导体薄膜材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种氧化亚铜半导体薄膜材料的制备方法，用于解决现有的方法制备出的Cu2O禁带宽度大的技术问题。技术方案是超声清洗柔性ITO衬底，称量CuSO4和柠檬酸，配成溶液，在磁力搅拌器上搅拌得到均匀的电解液；在电化学工作站上进行电化学沉积，柔性ITO衬底为工作电极，铂片为对电极，Ag/AgCl为参比电极；控制沉积温度40～70℃，沉积电位为‑0.5～‑0.6V，沉积时间1～4h；沉积物用大量去离子水冲洗，在烘干箱中干燥1～4h，得到氧化亚铜半导体薄膜材料。由于通过电化学沉积法采用标准的三电极系统并控制反应时间和温度、调节溶液的pH值，制备的氧化亚铜半导体薄膜材料的制备方法的禁带宽度由背景技术的2.69eV减小到2.43～2.21eV。

主权项

一种氧化亚铜半导体薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(a)依次采用蒸馏水、无水乙醇、丙酮、无水乙醇超声清洗柔性ITO衬底20～40min，后用去离子水冲洗数次，烘干备用；(b)按摩尔比为1∶1称量CuSO₄和柠檬酸，分别溶于去离子水中配成浓度均为0.02～0.1M的溶液，用0.5～1.2M的NaOH溶液调节使pH＝10～12；(c)在磁力搅拌器上搅拌20～40min得到均匀的电解液备用；(d)在电化学工作站上进行电化学沉积，柔性ITO衬底为工作电极，铂片为对电极，Ag/AgCl为参比电极；(e)控制沉积温度40～70℃，沉积电位为‑0.5～‑0.6V，沉积时间1～4h；(f)沉积物用大量去离子水冲洗，在烘干箱中干燥1～4h，得到氧化亚铜半导体薄膜材料。