| 发明名称 | 一种改善镍退火机台晶圆均一性的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种改善镍退火机台晶圆均一性的方法，包括：第一步骤：在硅片表面生长镍金属沉积物以制造镍金属控片；第二步骤：由待监控的退火机台对镍金属控片进行第一次退火；第三步骤：测量镍金属控片第一次退火后的电阻值以检验镍金属控片的相变程度；第四步骤：根据所述电阻值检验出的相变程度获取反馈值，并采用所述反馈值来优化退火机台的机台参数；第五步骤：在优化退火机台的机台参数之后，由待监控的退火机台对镍金属控片进行第二次退火，以得到最终的金属硅化物。 | ||
| 申请公布号 | CN106128935A | 申请公布日期 | 2016.11.16 |
| 申请号 | CN201610510479.2 | 申请日期 | 2016.06.30 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 李赟佳;谢威;赖朝荣;苏俊铭;王智 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 智云 |
| 主权项 | 一种改善镍退火机台晶圆均一性的方法，其特征在于包括：第一步骤：在硅片表面生长镍金属沉积物以制造镍金属控片；第二步骤：由待监控的退火机台对镍金属控片进行第一次退火；第三步骤：测量镍金属控片第一次退火后的电阻值以检验镍金属控片的相变程度；第四步骤：根据所述电阻值检验出的相变程度获取反馈值，并采用所述反馈值来优化退火机台的机台参数；第五步骤：在优化退火机台的机台参数之后，由待监控的退火机台对镍金属控片进行第二次退火，以得到最终的金属硅化物。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||