发明名称 |
一种铂纳米柱修饰的微电极阵列及其制备方法 |
摘要 |
本发明提供了一种铂纳米柱修饰的微电极阵列,所述微电极阵列的电极表面设置有铂纳米柱修饰层。该微电极阵列以铂纳米柱为表面修饰层,修饰层与微电极基底的结合力较好,不容易脱落导致电极失效,并且修饰后的微电极表面积极大地增加,其电化学阻抗明显降低,电极电荷注入容量和电荷存储能力大大增加,这有利于降低植入的系统功耗,改善电刺激效果,同时修饰层具有良好的生物相容性,使其在生物医学领域的应用大大增加。本发明还提供了一种铂纳米柱修饰的微电极阵列的制备方法。 |
申请公布号 |
CN106108891A |
申请公布日期 |
2016.11.16 |
申请号 |
CN201610460562.3 |
申请日期 |
2016.06.23 |
申请人 |
中国科学院深圳先进技术研究院 |
发明人 |
夏凯;吴天准;孙滨;曾齐;彭琎 |
分类号 |
A61B5/042(2006.01)I;A61B5/0478(2006.01)I;A61B5/04(2006.01)I;A61N1/05(2006.01)I;C23C18/44(2006.01)I;C23C18/16(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
A61B5/042(2006.01)I |
代理机构 |
广州三环专利代理有限公司 44202 |
代理人 |
郝传鑫;熊永强 |
主权项 |
一种铂纳米柱修饰的微电极阵列,其特征在于,所述微电极阵列的电极表面设置有铂纳米柱修饰层。 |
地址 |
518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号 |