发明名称 一种铂纳米柱修饰的微电极阵列及其制备方法
摘要 本发明提供了一种铂纳米柱修饰的微电极阵列,所述微电极阵列的电极表面设置有铂纳米柱修饰层。该微电极阵列以铂纳米柱为表面修饰层,修饰层与微电极基底的结合力较好,不容易脱落导致电极失效,并且修饰后的微电极表面积极大地增加,其电化学阻抗明显降低,电极电荷注入容量和电荷存储能力大大增加,这有利于降低植入的系统功耗,改善电刺激效果,同时修饰层具有良好的生物相容性,使其在生物医学领域的应用大大增加。本发明还提供了一种铂纳米柱修饰的微电极阵列的制备方法。
申请公布号 CN106108891A 申请公布日期 2016.11.16
申请号 CN201610460562.3 申请日期 2016.06.23
申请人 中国科学院深圳先进技术研究院 发明人 夏凯;吴天准;孙滨;曾齐;彭琎
分类号 A61B5/042(2006.01)I;A61B5/0478(2006.01)I;A61B5/04(2006.01)I;A61N1/05(2006.01)I;C23C18/44(2006.01)I;C23C18/16(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 A61B5/042(2006.01)I
代理机构 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人 郝传鑫;熊永强
主权项 一种铂纳米柱修饰的微电极阵列,其特征在于,所述微电极阵列的电极表面设置有铂纳米柱修饰层。
地址 518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号