| 发明名称 | 背照式CMOS图像传感器 | ||
| 摘要 | 一种背照式CMOS图像传感器，包括：一衬底，其正面作为第一表面且背面作为第二表面；一个形成在衬底中的光电探测器，其包括位于第二表面的一个感光面，以及一个位于第二表面的第一正电荷层，该第一正电荷层能够在光电探测器的感光面构成一个电荷积累区域来抑制图像传感器第二表面中的暗电流。同时本发明也提供了包括所述的第一正电荷层在内的图像传感器的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN106129074A | 申请公布日期 | 2016.11.16 |
| 申请号 | CN201610292269.0 | 申请日期 | 2016.05.05 |
| 申请人 | 芯视达系统公司 | 发明人 | 不公告发明人 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人 | 王毓理;王锡麟 |
| 主权项 | 一种背照式CMOS图像传感器，其特征在于，包括：一衬底，其正面作为第一表面且背面作为第二表面；一个形成在衬底中的光电探测器，其包括位于第二表面的一个感光面，以及一个位于第二表面的第一正电荷层，该第一正电荷层能够在光电探测器的感光面构成一个电荷积累区域来抑制图像传感器第二表面中的暗电流。 | ||
| 地址 | 开曼群岛可里克特广场维罗大厦4楼KY1-1104 | ||