发明名称 带有介电背反射覆层的太阳能电池及其制造方法
摘要 用于制造太阳能电池(70)的方法,其中包括介电层(74,76)的一个叠层(74,76)被加到(14,16;54,56)一个太阳能电池基底(72)的背面,且该叠层(74,76)被加热和保持在至少700°C的温度下至少5分钟。本发明还涉及一种太阳能电池(70)。
申请公布号 CN102947954B 申请公布日期 2016.11.09
申请号 CN201180022058.0 申请日期 2011.03.03
申请人 RCT溶液有限责任公司 发明人 阿道夫·闵塞尔;安德里亚斯·特佩;简·薛昂;莱因赫德·舒勒索尔;史蒂芬·科勒尔
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0687(2012.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 北京金恒联合知识产权代理事务所 11324 代理人 李强
主权项 用于制造太阳能电池的方法,其中‑把介电层构成的一个叠层加到一个太阳能电池基底的背面,‑在所述叠层上形成本地开口,‑在所述叠层上广泛地施加一种金属介质,使该金属介质被部分地注入所述本地开口,‑烧制所述太阳能电池基底,以在所述本地开口中形成欧姆接触,‑在烧制期间,设置在所述叠层上的金属介质的部分通过所述叠层的烧穿得到了阻止,‑借助一种蚀刻介质在所述太阳能电池基底的正面施加纹理,‑在所述金属介质被加到所述叠层上之前所述叠层被加热并在至少700℃的温度下被保持至少5分钟,其特征在于‑在所述把叠层加到太阳能电池基底的背面的步骤之前,所述太阳能电池基底的背面被一种平滑蚀刻溶液或一种抛光蚀刻溶液所蚀刻,‑在所述把叠层施加到太阳能电池基底的背面的步骤之后,太阳能电池基底的正面被施加纹理,且在施加纹理期间所述叠层被用作太阳能电池基底的背面的蚀刻掩膜,所述叠层具有厚度小于200nm的氮化硅层。
地址 德国康斯坦茨市特尔穆街20号