| 发明名称 | 针对多晶硅氧化物栅极缺失的电子束扫描检测方法 | ||
| 摘要 | 一种针对多晶硅氧化物栅极缺失的电子束扫描检测方法，包括：第一步骤：建立多晶硅缺失缺陷的电子束检测测试结构；第二步骤：对整个电子束检测测试结构进行离子注入工艺，使电子束检测测试结构在正电势扫描模式下处于导通状态；第三步骤：在离子注入工艺之后对整个电子束检测测试结构进行退火，在选择的站点进行电子束扫描，在正电势模式下检测多晶硅是否存在漏电问题。 | ||
| 申请公布号 | CN106098583A | 申请公布日期 | 2016.11.09 |
| 申请号 | CN201610694386.X | 申请日期 | 2016.08.19 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 范荣伟;陈宏璘;龙吟;顾晓芳 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 智云 |
| 主权项 | 一种针对多晶硅氧化物栅极缺失的电子束扫描检测方法，其特征在于包括：第一步骤：建立多晶硅缺失缺陷的电子束检测测试结构；第二步骤：对整个电子束检测测试结构进行离子注入工艺，使电子束检测测试结构在正电势扫描模式下处于导通状态；第三步骤：在离子注入工艺之后对整个电子束检测测试结构进行退火，在选择的站点进行电子束扫描，在正电势模式下检测多晶硅是否存在漏电问题。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||