一种GaN增强耗尽型MOS‑HEMT器件

摘要

本实用新型提供了一种GaN增强耗尽型MOS‑HEMT器件，包括由下至上依次形成的衬底、SiN/AlN成核层、第一GaN缓冲层、AlN/GaN空间隔离层、第二GaN缓冲层、AlN势垒层及GaN 帽层，第二GaN缓冲层与AlN势垒层之间形成二维电子气；还包括分别位于器件两端的第一隔离区和第二隔离区，第一隔离区和第二隔离区分别从GaN 帽层的上表面开始刻蚀并向下延伸至第一GaN缓冲层内部；还包括漏极、增强型栅极、第一源极、耗尽型栅极及第二源极；从GaN 帽层上表面刻蚀至AlN势垒层形成窗口区域，增强型栅极浸入窗口区域内，增强型栅极与窗口区域之间、耗尽型栅极与GaN 帽层之间生长有Al₂O₃修复层。本实用新型解决了现有器件短沟效应明显、成品率低、栅极泄露电流、成本高的问题。

主权项

一种GaN增强耗尽型MOS‑HEMT器件，其特征在于，包括由下至上依次形成的衬底、SiN/AlN成核层、第一GaN缓冲层、AlN/GaN空间隔离层、第二GaN缓冲层、AlN势垒层及GaN帽层，所述第二GaN缓冲层与AlN势垒层之间形成二维电子气；还包括分别位于器件两端的第一隔离区和第二隔离区，所述第一隔离区和第二隔离区分别从所述GaN帽层的上表面开始刻蚀并向下延伸至所述第一GaN缓冲层内部；还包括漏极、增强型栅极、第一源极、耗尽型栅极及第二源极，所述增强型栅极位于漏极和第一源极之间，所述第一源极位于增强型栅极和耗尽型栅极之间，所述耗尽型栅极位于第一源极和第二源极之间；从所述GaN帽层上表面刻蚀至AlN势垒层形成窗口区域，所述增强型栅极浸入窗口区域内，所述漏极、第一源极、耗尽型栅极及第二源极形成于GaN帽层上，所述增强型栅极与窗口区域之间、耗尽型栅极与GaN帽层之间生长有Al₂O₃修复层。