| 发明名称 | 具有直接存取的多级存储器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了用于实现具有直接存取的多级存储器的方法、设备以及系统的实施例。在一个实施例中，该方法包括在计算机系统中将某一量的非易失性随机存取存储器（NVRAM）指定为用作可替换于动态随机存取存储器（DRAM）的存储器。该方法通过将第二量的NVRAM指定为用作可替换于大容量存储设备的存储装置而继续。然后，该方法在计算机系统的操作期间将第一量的NVRAM的至少第一部分从存储器可替换指定重新指定为存储装置可替换指定。最后，该方法在计算机系统的操作期间将第二量的NVRAM的至少第一部分从存储装置可替换指定重新指定为存储器可替换指定。 | ||
| 申请公布号 | CN104011690B | 申请公布日期 | 2016.11.09 |
| 申请号 | CN201180075995.2 | 申请日期 | 2011.12.29 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | B.芬宁;S.卡瓦米;R.S.特特里克;F.T.哈迪 |
| 分类号 | G06F12/00(2006.01)I;G11C13/02(2006.01)I;G11C16/00(2006.01)I | 主分类号 | G06F12/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 臧永杰;傅康 |
| 主权项 | 一种用于实现具有直接存取的多级存储器的方法，包括：在计算机系统中将第一量的非易失性随机存取存储器（NVRAM）指定为用作可替换于动态随机存取存储器（DRAM）的存储器；将第二量的NVRAM指定为用作可替换于大容量存储设备的存储装置；在计算机系统的操作期间，将第一量的NVRAM的至少第一部分从存储器可替换指定重新指定为存储装置可替换指定；以及在计算机系统的操作期间，将第二量的NVRAM的至少第一部分从存储装置可替换指定重新指定为存储器可替换指定。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||