TRENCH METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR

摘要

트렌치 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(TMOSFET)는 다수의 게이트 영역들(gate regions) 사이에 배치되는 다수의 평탄면들(mesas)을 포함한다. 각 평탄면은 드리프트 영역(drift region)과 바디 영역(body region)을 포함한다. 상기 평탄면의 폭은 게이트 절연 영역들(gate insulator regions)과 바디 영역들 사이의 계면에서 양자 샘 크기(quantum well dimension)의 차수이다. 상기 TMOSFET는 또한 게이트 영역들과 바디 영역들, 드리프트 영역들 및 드레인 영역 사이에 배치되는 다수의 게이트 절연 영역들을 포함한다. 상기 게이트 영역들과 드레인 영역 사이의 게이트 절연 영역들의 두께는 드리프트 영역에서 실질적으로 레터랄(lateral)인 OFF-상태에서 게이트-투-드레인 전계(gate-to-drain electric field)를 초래한다.