溅射靶及其制造方法

摘要

一种溅射靶，其特征在于，在Al的含量以Al₂O₃换算为0.2～3.0摩尔％、Mg和/或Si的含量以MgO和/或SiO₂换算为1～27摩尔％、其余部分由Zn的以ZnO换算的含量构成的基本组成的基础上，还含有以氧化物重量换算为0.1～20重量％的形成熔点为1000℃以下的低熔点氧化物的金属。本发明提供不含硫、体积电阻低、能够进行DC溅射且折射率低的光学薄膜形成用靶及其制造方法。靶自身为高密度，因此异常放电少，能够进行稳定的溅射。而且，溅射成膜得到的薄膜的透射率高且由非硫化物系构成，因此，对于形成相邻的反射层、记录层不易产生劣化的光信息记录介质用薄膜而言有用。通过提高光信息记录介质的特性、降低设备成本、提高成膜速度而大幅改善产量。

主权项

一种溅射靶，在由锌(Zn)、铝(Al)、镁(Mg)和/或硅(Si)的3种元素或4种元素及氧(O)构成的基本组成的基础上含有形成低熔点氧化物的金属或硼或磷，所述溅射靶的特征在于，在Al的含量以Al₂O₃换算为0.2～3.0摩尔％、Mg和/或Si的含量以MgO和/或SiO₂换算为1～27摩尔％、其余部分由Zn的以ZnO换算的含量构成的基本组成的基础上，还含有以氧化物重量换算大于等于0.5重量％且小于等于20重量％的形成熔点为1000℃以下的低熔点氧化物的金属或硼或磷，相对密度为99.4％以上。