发明名称 同步生长晶圆级AB堆垛双层石墨烯的制备方法及其设备
摘要 AB堆垛双层石墨烯的制备方法及其设备:采用固态或液态碳氢化合物为碳源,控制挥发量,通过含高氢分压的惰性载气带到铜箔表面,利用常压化学气相沉积法催化生长双层石墨稀。碳氢化合物采用固体碳源:固态烃类化合物或烃类的衍生物;通过对固体碳源加热,控制碳源挥发量;或碳氢化合物采用液体碳源:液态烃类化合物或烃类衍生物;通过通入惰性气体量的大小,控制液体碳源的挥发量。本发明实现了双层石墨稀的同步生长,得到了高质量晶圆级AB堆垛的双层石墨烯,AB堆垛的双层石墨稀覆盖率可达100%,单晶场效应载流子迁移率高达5300 cm<sup>2</sup>v<sup>‑1</sup>s<sup>‑1</sup>。实验参数控制方便,操作简单,环保高效,很容易扩展到工业大规模卷对卷生产。
申请公布号 CN106087051A 申请公布日期 2016.11.09
申请号 CN201610396031.2 申请日期 2016.06.06
申请人 南京大学 发明人 吴军;万建国;宋林;潘丹峰;李永超
分类号 C30B29/02(2006.01)I;C30B25/14(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I;C01B31/04(2006.01)I 主分类号 C30B29/02(2006.01)I
代理机构 江苏致邦律师事务所 32230 代理人 栗仲平
主权项 一种AB堆垛双层石墨烯的制备方法,其特征在于,本方法采用固态或液态碳氢化合物作为碳源,控制其挥发量,通过含高氢分压的惰性载气带到铜箔表面,利用常压化学气相沉积法催化生长双层石墨稀。
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