发明名称 |
同步生长晶圆级AB堆垛双层石墨烯的制备方法及其设备 |
摘要 |
AB堆垛双层石墨烯的制备方法及其设备:采用固态或液态碳氢化合物为碳源,控制挥发量,通过含高氢分压的惰性载气带到铜箔表面,利用常压化学气相沉积法催化生长双层石墨稀。碳氢化合物采用固体碳源:固态烃类化合物或烃类的衍生物;通过对固体碳源加热,控制碳源挥发量;或碳氢化合物采用液体碳源:液态烃类化合物或烃类衍生物;通过通入惰性气体量的大小,控制液体碳源的挥发量。本发明实现了双层石墨稀的同步生长,得到了高质量晶圆级AB堆垛的双层石墨烯,AB堆垛的双层石墨稀覆盖率可达100%,单晶场效应载流子迁移率高达5300 cm<sup>2</sup>v<sup>‑1</sup>s<sup>‑1</sup>。实验参数控制方便,操作简单,环保高效,很容易扩展到工业大规模卷对卷生产。 |
申请公布号 |
CN106087051A |
申请公布日期 |
2016.11.09 |
申请号 |
CN201610396031.2 |
申请日期 |
2016.06.06 |
申请人 |
南京大学 |
发明人 |
吴军;万建国;宋林;潘丹峰;李永超 |
分类号 |
C30B29/02(2006.01)I;C30B25/14(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I;C01B31/04(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/02(2006.01)I |
代理机构 |
江苏致邦律师事务所 32230 |
代理人 |
栗仲平 |
主权项 |
一种AB堆垛双层石墨烯的制备方法,其特征在于,本方法采用固态或液态碳氢化合物作为碳源,控制其挥发量,通过含高氢分压的惰性载气带到铜箔表面,利用常压化学气相沉积法催化生长双层石墨稀。 |
地址 |
210000 江苏省南京市汉口路22 |