一种内嵌双层膜的LNOI晶片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种内嵌双层膜的LNOI晶片及其制备方法，该晶体的整体结构自基底向上层依序包括：硅或铌酸锂基底(1)、二氧化硅缓冲层(2)、金电极层(3)、半导体有机高分子层(4)和铌酸锂薄膜层(5)，所述金电极层(3)和所述半导体有机高分子层(4)为内嵌双层膜。与现有技术相比，本发明极大地降低了波导的损耗，波导性能优良；使LNOI材料形成电流回路起到了很重要的便利作用，显著提高了LNOI材料形成光学或微电子学器件的可行性；本发明将直接推动基于LNOI平台的集成光路和器件向实用化方向迈进，可为下一代光电混合集成芯片的研发提供支撑。

主权项

一种内嵌双层膜的LNOI晶片，其特征在于，该晶体的整体结构自基底向上依序包括：硅或铌酸锂基底(1)、二氧化硅缓冲层(2)、金电极层(3)、半导体有机高分子层(4)和铌酸锂薄膜层(5)，所述金电极层(3)和所述半导体有机高分子层(4)为内嵌双层膜。