LED芯片及其制造方法

摘要

本发明提供一种LED芯片及其制造方法，所述LED芯片包括衬底、位于衬底上的半导体外延结构、以及位于半导体外延结构上的P电极和N电极，所述衬底包括上部衬底和下部衬底，所述上部衬底截面呈等腰梯形，上部衬底的两个侧面为对称设置的第一斜面，下部衬底截面呈平行四边形，下部衬底的两个侧面为相互平行的第二斜面，所述半导体外延结构的两个侧面沿上部衬底的第一斜面倾斜。本发明通过改变劈裂位置达到改变衬底形貌的目的，在不影响劈裂良率的前提下，提高了LED芯片的亮度。

主权项

一种LED芯片，所述LED芯片包括衬底、位于衬底上的半导体外延结构、以及位于半导体外延结构上的P电极和N电极，其特征在于，所述衬底包括上部衬底和下部衬底，所述上部衬底截面呈等腰梯形，上部衬底的两个侧面为对称设置的第一斜面，下部衬底截面呈平行四边形，下部衬底的两个侧面为相互平行的第二斜面，所述半导体外延结构的两个侧面沿上部衬底的第一斜面倾斜。