发明名称 | 一种钽酸锂或铌酸锂晶体基片黑化方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种钽酸锂或铌酸锂晶体基片黑化方法,采用一种胶水混合一定比例的碳酸锂粉和具有脱氧能力的单质材料成为混合体系并通过丝网印刷方法均匀涂覆于待处理钽酸锂或铌酸锂晶体基片的两面,置于不锈钢容器中,然后放入热处理炉中,在流量为6L/min~10L/min氮气气氛下和低于待处理钽酸锂或铌酸锂晶体基片的居里温度条件下对待处理钽酸锂或铌酸锂晶体基片进行还原处理。混合体系中胶水为有机硅胶,具有脱氧能力的单质材料为Zn粉末,其在混合体系中占质量比为35%以下。本发明在钽酸锂或铌酸锂晶体基片的居里温度条件下进行还原黑化处理,经过黑化处理减弱其热释电性质,从而降低了SAW滤波器件制造成本并提升了生产效率。 | ||
申请公布号 | CN106048735A | 申请公布日期 | 2016.10.26 |
申请号 | CN201610660753.4 | 申请日期 | 2016.08.12 |
申请人 | 天通控股股份有限公司 | 发明人 | 姚志炎;沈浩;归欢焕;朱海瀛;顾潇威 |
分类号 | C30B33/12(2006.01)I | 主分类号 | C30B33/12(2006.01)I |
代理机构 | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人 | 吴关炳 |
主权项 | 一种钽酸锂或铌酸锂晶体基片黑化方法,其特征在于,采用一种胶水混合一定比例的碳酸锂粉和具有脱氧能力的单质材料成为混合体系并通过丝网印刷方法均匀涂覆于待处理钽酸锂或铌酸锂晶体基片的两面,置于不锈钢容器中,然后放入热处理炉中,在流量为6L/min~10L/min氮气气氛下和低于待处理钽酸锂或铌酸锂晶体基片的居里温度条件下对待处理钽酸锂或铌酸锂晶体基片进行还原处理。 | ||
地址 | 314412 浙江省嘉兴市海宁市盐官镇建设路1号 |