发明名称 一种贵金属纳米晶负载CuSbS<sub>2</sub>纳米晶的制备方法
摘要 本发明公开了一种贵金属纳米晶负载铜锑硫纳米晶的制备方法,该方法为先将贵金属盐通过液相还原法制备贵金属纳米晶,所述贵金属纳米晶采用导电聚合物钝化剂进行表面钝化处理;将表面钝化的贵金属纳米晶、铜盐及锑盐,溶解混合,得到混合液;将含硫源的溶液加入到所述混合液中反应,即得贵金属纳米晶负载CuSbS<sub>2</sub>纳米晶,该方法针对贵金属纳米晶负载于铜锑硫纳米晶中存在的热力学和催化动力学等方面的问题提出了解决方案,所得复合材料有优异的光催化性能,可应用于光解水、光催化分解有机物及光电催化中。
申请公布号 CN106040263A 申请公布日期 2016.10.26
申请号 CN201610343133.8 申请日期 2016.05.23
申请人 中南大学 发明人 刘芳洋;蒋妍;童正夫;蒋良兴;韩璐
分类号 B01J27/045(2006.01)I 主分类号 B01J27/045(2006.01)I
代理机构 长沙市融智专利事务所 43114 代理人 魏娟
主权项 一种贵金属纳米晶负载CuSbS<sub>2</sub>纳米晶的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:1)贵金属盐通过液相还原法制备贵金属纳米晶;2)所述贵金属纳米晶采用导电聚合物钝化剂进行表面钝化处理;3)将表面钝化的贵金属纳米晶、铜盐及锑盐,溶解混合,得到混合液;4)将含硫源的溶液加入到所述混合液中反应,即得贵金属纳米晶负载CuSbS<sub>2</sub>纳米晶。
地址 410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号
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