校准椭偏仪的膜厚样片、检验样片及其检验方法

摘要

本发明公开了一种校准椭偏仪的膜厚样片、检验样片及其检验方法，涉及椭偏仪校准技术领域，包含多组附着二氧化硅或氮化硅的硅片，二氧化硅薄膜的厚度≤1000nm，氮化硅薄膜的厚度≤200nm，覆盖了现在半导体工艺二氧化硅薄膜和氮化硅薄膜的应用范围，硅片上还设有定标图形，定标图形围绕的区域为定标区域，即校准椭偏仪时测量的区域，定标区域位于硅片的中心区域，每次校准椭偏仪的区域一致，厚度一致，保证校准的准确性，还公开了校准椭偏仪的膜厚样片的检验样片和检验方法，可以对校准椭偏仪的膜厚样片进行检验，检验膜厚样片是否能够校准椭偏仪。

主权项

校准椭偏仪的膜厚样片，其特征在于：包括若干个硅片（1），所述硅片（1）上表面附着二氧化硅薄膜或者氮化硅薄膜，二氧化硅薄膜的厚度≤1000nm，氮化硅薄膜的厚度≤200nm，硅片（1）上还设有定标图形（3），定标图形（3）环绕区域为定标区域（2），定标区域（2）为二氧化硅薄膜或氮化硅薄膜，所述若干个硅片（1）表面附着二氧化硅薄膜或者氮化硅薄膜膜厚不同，相互构成一个膜厚不同的膜厚样片系列。