抗辐照太阳能电池制备方法

摘要

本发明公开了一种抗辐照太阳能电池制备方法，包括六个步骤：在单晶硅片表面形成SiO₂层；在SiO₂层上溅射钨掩蔽膜；在钨掩蔽膜上刻蚀钨掩蔽膜图形；对刻蚀完毕的钨掩蔽膜进行磷离子叠加注入；低温退火；高温扩散。本发明制备工艺简便、可靠性高、不影响太阳能电池充电。

主权项

抗辐照太阳能电池制备方法，其特征是：包括以下步骤：步骤1：采用电阻率6‑8Ω.cm的P型单晶硅片，在表面热氧化形成一个20‑45nm厚度的SiO₂层；步骤2：在SiO₂层上溅射一层钨掩蔽膜；步骤3：通过光刻、刻蚀的方式形成钨掩蔽膜图形，使得该图形注入区线宽2‑3μm，掩蔽间隔宽3‑4μm；步骤4：对钨掩蔽膜进行磷离子叠加注入，次数为五次，每次注入的能量和剂量分别为0.4MeV，3×10¹⁴/cm²；0.7MeV，3×10¹³/cm²；1.2MeV，5×10¹³/cm²；3MeV，8×10¹³/cm²；6MeV，1×10¹⁴/cm²；步骤5：在保护氮气环境下对离子注入完毕的硅晶片进行低温退火，温度600℃，时间一小时；保护氮气流量为0.7L/min;步骤6：低温退火完毕，继续在氮气保护下，在1000℃的温度下扩磷13min。