| 发明名称 | 光电转换装置 | ||
| 摘要 | 提供一种光电转换装置，能够抑制p层或者n层的掺杂物向相邻的层扩散。光电转换装置(1)具备硅基板(10)、形成于硅基板(10)的一个面并且实质上是本征的本征非晶质层(11)以及形成于本征非晶质层(11)上的第1导电类型非晶质层(12)。第1导电类型非晶质层(12)包括第1浓度层(121)和层叠于第1浓度层(121)的第2浓度层(122)。第2浓度层(122)的掺杂物浓度是8×10<sup>17</sup>cm<sup>‑3</sup>以上且低于第1浓度层的掺杂物浓度。 | ||
| 申请公布号 | CN106062973A | 申请公布日期 | 2016.10.26 |
| 申请号 | CN201580012504.8 | 申请日期 | 2015.04.03 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 原田真臣;酒井敏彦;菅沼利人;辻埜和也;国吉督章;神川刚 |
| 分类号 | H01L31/0747(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0747(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 权太白;戚传江 |
| 主权项 | 一种光电转换装置，其特征在于，具备：硅基板；本征非晶质层，形成于所述硅基板的一个面，并且实质上是本征的；以及第1导电类型非晶质层，形成于所述本征非晶质层上，所述第1导电类型非晶质层包括第1浓度层以及层叠于所述第1浓度层的第2浓度层，所述第2浓度层的掺杂物浓度是8×10<sup>17</sup>cm<sup>‑3</sup>以上且低于所述第1浓度层的掺杂物浓度。 | ||
| 地址 | 日本大阪府堺市 | ||