具有垂直器件的两端口SRAM单元结构

摘要

本发明描述了两端口SRAM单元。在一个实施例中，一个单元包括第一、第二和读端口下拉晶体管、第一和第二上拉晶体管、第一、第二和读端口传输门晶体管。每个晶体管都包括位于有源区域中的第一源极/漏极区域、在有源区域之上延伸的沟道以及位于沟道之上的第二源极/漏极区域。各下拉晶体管的第一源极/漏极区域通过第一有源区域电连接。各上拉晶体管的第一源极/漏极区域通过第二有源区域电连接。第一栅电极环绕第一上拉晶体管、第一下拉晶体管和读端口下拉晶体管的沟道。第二栅电极环绕第二上拉晶体管和第二下拉晶体管的沟道。第一上拉晶体管、第一下拉晶体管和第一传输门晶体管的第二源极/漏极区域电连接至第二栅电极。第二上拉晶体管、第二下拉晶体管和第二传输门晶体管的第二源极/漏极区域电连接至第一栅电极。本发明还提供了一种形成两端口SRAM单元的方法。

主权项

一种结构，包括：两端口静态随机存取存储单元，包括：第一下拉晶体管，包括位于衬底中的第一有源区域中的第一源极/漏极区域、在所述第一有源区域之上延伸的第一垂直沟道以及位于所述第一垂直沟道之上的第二源极/漏极区域，第二下拉晶体管，包括位于所述第一有源区域中的第三源极/漏极区域、在所述第一有源区域之上延伸的第二垂直沟道以及位于所述第二垂直沟道之上的第四源极/漏极区域，所述第一源极/漏极区域通过所述第一有源区域电连接至所述第三源极/漏极区域，第一上拉晶体管，包括位于所述衬底中的第二有源区域中的第五源极/漏极区域、在所述第二有源区域之上延伸的第三垂直沟道以及位于所述第三垂直沟道之上的第六源极/漏极区域，第二上拉晶体管，包括位于所述第二有源区域中的第七源极/漏极区域、在所述第二有源区域之上延伸的第四垂直沟道以及位于所述第四垂直沟道之上的第八源极/漏极区域，所述第五源极/漏极区域通过所述第二有源区域电连接至所述第七源极/漏极区域，第一传输门晶体管，包括位于所述衬底中的第三有源区域中的第九源极/漏极区域、在所述第三有源区域之上延伸的第五垂直沟道以及位于所述第五垂直沟道之上的第十源极/漏极区域，第二传输门晶体管，包括位于所述衬底中的第四有源区域中的第十一源极/漏极区域、在所述第四有源区域之上延伸的第六垂直沟道以及位于所述第六垂直沟道之上的第十二源极/漏极区域，读端口下拉晶体管，包括位于所述衬底中的第五有源区域中的第十三源极/漏极区域、在所述第五有源区域之上延伸的第七垂直沟道以及位于所述第七垂直沟道之上的第十四源极/漏极区域，读端口传输门晶体管，包括位于所述第五有源区域中的第十五源极/漏极区域、在所述第五有源区域之上延伸的第八垂直沟道以及位于所述第八垂直沟道之上的第十六源极/漏极区域，第一栅电极，环绕所述第一垂直沟道、所述第三垂直沟道和所述第七垂直沟道中的每一个，第二栅电极，环绕所述第二垂直沟道和所述第四垂直沟道中的每一个，第三栅电极，环绕所述第五垂直沟道；第四栅电极，环绕所述第六垂直沟道，第五栅电极，环绕所述第八垂直沟道，第一导电部件，位于所述第二源极/漏极区域、所述第六源极/漏极区域和所述第十源极/漏极区域之上并且电连接至所述第二源极/漏极区域、所述第六源极/漏极区域和所述第十源极/漏极区域，所述第一导电部件还电连接至所述第二栅电极，以及第二导电部件，位于所述第四源极/漏极区域、所述第八源极/漏极区域和所述第十二源极/漏极区域之上并且电连接至所述第四源极/漏极区域、所述第八源极/漏极区域和所述第十二源极/漏极区域，所述第二导电部件进一步电连接至所述第一栅电极。