一种气敏半导体器件的制备方法

摘要

本发明公开了一种气敏半导体器件的制备方法，其具体制备步骤为：（1）将器件用陶瓷管置入纯水中进行超声，后置入丙酮溶液中超声，再置入异丙醇溶液中超声，然后置入真空烘箱中烘干；（2）将调制好的气敏半导体浆料均匀的涂抹在陶瓷管上，并附着导线作电极引脚，自然放置后置入烘箱内烘干，再置入烧结窑中烧结；（3）将烧结好的元件自然冷却至室温后，将电阻丝穿插在陶瓷管中，并焊接在电极引脚上，焊接完毕后再将器件接入电路中，工作一段时间；本发明的有益效果是：制备过程较简单，参数控制容易，但是制备出的气敏半导体器件稳定性好、灵敏度高，符合实际应用的需求。

主权项

一种气敏半导体器件的制备方法，其特征在于其具体制备步骤为：（1）将器件用陶瓷管置入纯水中进行超声，超声时间设定为10‑12分钟，后置入丙酮溶液中超声10‑12分钟，再置入异丙醇溶液中超声12‑15分钟，然后置入真空烘箱中烘干20‑30分钟，烘干温度设定为100‑120℃；（2）将调制好的气敏半导体浆料均匀的涂抹在陶瓷管上，并附着4‑6根导线作电极引脚，自然放置20‑30分钟后，置入烘箱内烘干15‑20分钟，烘干温度为200‑220℃，再置入烧结窑中烧结2‑3小时，烧结温度设定为800‑1000℃；（3）将烧结好的元件自然冷却至室温后，将电阻丝穿插在陶瓷管中，并焊接在电极引脚上，焊接完毕后再将器件接入电路中，在4‑6伏的电压下工作72‑120小时。