| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：基底，包括PMOSFET区和NMOSFET区；第一栅极结构，沿第一方向延伸并且与PMOSFET区和NMOSFET区交叉；栅极接触件，在第一栅极结构上并且连接到第一栅极结构，栅极接触件在PMOSFET区与NMOSFET区之间，栅极接触件包括：第一子接触件，与第一栅极结构的顶表面接触，第一子接触件包括沿第一栅极结构的一个侧壁朝向基底竖直地延伸的竖直延伸部分，第二子接触件，与第一栅极结构分隔开，第二子接触件的顶表面位于与第一子接触件的顶表面的水平面相同的水平面处。 | ||
| 申请公布号 | CN106057807A | 申请公布日期 | 2016.10.26 |
| 申请号 | CN201610130372.5 | 申请日期 | 2016.03.08 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 尹彰燮;尹广燮;尹锺密;李炯宗 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 韩明星;孙昌浩 |
| 主权项 | 一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括P型金属氧化物半导体场效应管区和N型金属氧化物半导体场效应管区；第一栅极结构，沿第一方向延伸并且与P型金属氧化物半导体场效应管区和N型金属氧化物半导体场效应管区交叉；以及栅极接触件，在第一栅极结构上并且连接到第一栅极结构，栅极接触件在P型金属氧化物半导体场效应管区与N型金属氧化物半导体场效应管区之间，其中，栅极接触件包括：第一子接触件，与第一栅极结构的顶表面接触，第一子接触件包括沿第一栅极结构的一个侧壁朝向基底竖直地延伸的竖直延伸部分，第二子接触件，与第一栅极结构分隔开，第二子接触件的顶表面位于与第一子接触件的顶表面的水平面相同的水平面处。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||