发明名称 |
低损耗温度稳定型微波介电陶瓷Sr<sub>3</sub>TiGa<sub>10</sub>O<sub>20</sub> |
摘要 |
本发明公开了一种低损耗温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Sr<sub>3</sub>TiGa<sub>10</sub>O<sub>20</sub>及其制备方法。(1)将化学原料SrCO<sub>3</sub>、TiO<sub>2</sub>和Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>粉末按化学计量式Sr<sub>3</sub>TiGa<sub>10</sub>O<sub>20</sub>称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在1100℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在1150~1200℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在1200℃以下烧结良好,介电常数达到23.2~23.7,其品质因数Qf值高达54500‑68200GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。 |
申请公布号 |
CN106045479A |
申请公布日期 |
2016.10.26 |
申请号 |
CN201610624522.8 |
申请日期 |
2016.07.30 |
申请人 |
桂林理工大学 |
发明人 |
覃杏柳;郑彬宁;苏聪学 |
分类号 |
C04B35/01(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/01(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种高品质因数温度稳定型微波介电陶瓷,其特征在于所述微波介电陶瓷的化学组成为:Sr<sub>3</sub>TiGa<sub>10</sub>O<sub>20</sub>;所述微波介电陶瓷的制备方法具体步骤为:(1)将化学原料SrCO<sub>3</sub>、TiO<sub>2</sub>和Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>粉末按化学计量式Sr<sub>3</sub>TiGa<sub>10</sub>O<sub>20</sub>称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在1100℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在1150~1200℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇添加量占粉末总质量的3%。 |
地址 |
541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号 |