산화물을 포함하는 절연막이 형성된 기판을 챔버에 로딩하고, 챔버 내에 식각 소스를 포함하는 공정 가스를 주입하여 상기 절연막의 적어도 일부를 제거한다. 제거 공정은 식각 소스의 공급이 제 1 유량인 제 1 기간 및 상기 제 1 유량보다 적은 제 2 유량인 제 2 기간이 복수 회 반복되는 펄스 타입으로 진행되고, 제거 공정 동안 챔버 내의 온도는 100℃ 이상으로 유지된다.
申请公布号
KR20160123441(A)
申请公布日期
2016.10.26
申请号
KR20150053177
申请日期
2015.04.15
申请人
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人
LEE, MONG SUP;SON, YOON HO;LEE, SANG JUN;KANG, MUN KWON;KIM, KYUNG HYUN;HWANG, IN SEAK
