发明名称 |
一种半导体器件温度‑电压‑电流三维校温曲面的建立方法 |
摘要 |
一种半导体器件温度‑电压‑电流三维校温曲面的建立方法属于电子器件测试领域。半导体器件结温作为半导体器件可靠性方面的重要参数,准确、快速测量结温对科研、工程方面具有重要意义。针对半导体器件结温实时测量的要求。本发明根据本数据库能够准确结温。通过高速开关电路等产生不产生自升温的脉冲电流电压并输入待测器件,通过采集电路采集器件两端电应力值。最终测量并建立三维温度‑电压‑电流校温曲线数据库,从而可以在器件工作状态下(包括浪涌电流,高频等),实时检测器件结温。 |
申请公布号 |
CN106054052A |
申请公布日期 |
2016.10.26 |
申请号 |
CN201610405944.6 |
申请日期 |
2016.06.09 |
申请人 |
北京工业大学 |
发明人 |
郭春生;苏雅;廖之恒;冯士维;朱慧 |
分类号 |
G01R31/26(2014.01)I |
主分类号 |
G01R31/26(2014.01)I |
代理机构 |
北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 |
代理人 |
刘萍 |
主权项 |
一种半导体器件在浪涌电流条件下的结温测量方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一,将待测半导体器件(1)与脉冲发生器(4)相连,将待测半导体器件(1)与数据采集仪器(5)相连,并将待测半导体器件(1)放入温箱(2),利用温箱(2)对待测半导体器件(1)进行加热;步骤二,当待测半导体器件(1)温度稳定到温箱(2)所设定的温度并经过了5‑10min以后,利用脉冲发生器(4)给待测半导体器件(1)施加电压递增的不产生自升温的短脉冲,期间脉冲发生器(4)由程控电源(3)供电,并通过数据采集仪器(5)测量半导体器件两端的电压、电流数据;该处短脉冲的宽度按照国军标128A‑1997中的规定选取;步骤三,重复步骤一及步骤二,调整温箱(2)的温度数值,获得不同温度下的电压‑电流数据,并将所得数据汇总、处理,建立针对半导体器件(1)的校温曲线数据库。 |
地址 |
100124 北京市朝阳区平乐园100号 |