发光元件的制造方法以及发光元件

摘要

本发明的发光元件的制造方法以及使用该方法制造的发光元件，在制造发光元件时，不会因为形成设置于单晶衬底上的纵孔而对发光元件层造成损坏；在该发光元件的制造方法中，经过下述工序来制造发光元件(80)，该工序是指：在发光元件用单晶衬底(30A)的一面(32T)上形成发光元件层(40)；接着，对发光元件用单晶衬底(30A)的另一面(32B)进行研磨，直到成为纵孔(34A)沿厚度方向贯穿发光元件用单晶衬底(30A)的状态为止；接着，通过从纵孔(34B)的另一面(32B)的开口部(36B)侧向纵孔(34B)内填充导电性材料，从而形成从发光元件层(40)侧延续至另一面(32B)的开口部(36B)为止的导电部(50)。

主权项

一种发光元件的制造方法，其特征在于，至少经过发光元件层形成工序、研磨工序以及导电部形成工序来制造发光元件，在所述发光元件层形成工序中，在设有纵孔的发光元件用单晶衬底的一面上形成发光元件层，其中，所述纵孔仅在所述一面上具有开口部且该开口部的深度(Y)与内径(X)的比率(Y/X)为3以上，所述研磨工序是在至少经过所述发光元件层形成工序之后，对所述发光元件用单晶衬底的另一面进行研磨，直到成为所述纵孔沿厚度方向贯穿所述发光元件用单晶衬底的状态为止，所述导电部形成工序是在至少经过所述研磨工序后，从所述纵孔的所述另一面的开口部侧向所述纵孔内填充导电性材料，从而形成从所述发光元件层侧延续至所述另一面的所述开口部为止的导电部，所述纵孔的内壁面由蚀刻面构成，所述纵孔的内径相对于所述纵孔的深度方向，随着从所述一面的开口部侧朝向所述另一面的开口部侧前进而以呈一次函数关系的方式变小。