发明名称 | 一种MEMS加速度传感器及其制备方法、电子装置 | ||
摘要 | 本发明涉及一种MEMS加速度传感器及其制备方法、电子装置,所述MEMS加速度传感器包括:半导体衬底;第一检测质量块,悬空设置于半导体衬底的上方;第二检测质量块,连接设置于所述第一检测质量块的上方并且与水平设置的所述第一检测质量块相平行;弹簧结构,所述弹簧结构呈水平设置,弹簧结构的一端位于所述第一检测质量块上或/和所述第二质量检测块上,弹簧结构另一端的末端通过其下方的牺牲材料层固定于所述半导体衬底上;其中,第一检测质量块包括第一质量元件和与所述第一质量元件相连接的第一叉指结构,第二检测质量块包括第二质量元件和与所述第二质量元件相连接的第二叉指结构。本发明的优点在于所述加速度传感器的灵敏度得到进一步提高。 | ||
申请公布号 | CN106033091A | 申请公布日期 | 2016.10.19 |
申请号 | CN201510106517.3 | 申请日期 | 2015.03.11 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 何昭文;王珊珊 |
分类号 | G01P15/125(2006.01)I | 主分类号 | G01P15/125(2006.01)I |
代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;冯永贞 |
主权项 | 一种MEMS加速度传感器,包括:半导体衬底;第一检测质量块,悬空设置于所述半导体衬底的上方;第二检测质量块,连接设置于所述第一检测质量块的上方并且与水平设置的所述第一检测质量块相平行;弹簧结构,所述弹簧结构呈水平设置,所述弹簧结构的一端位于所述第一检测质量块上或/和所述第二质量检测块上,所述弹簧结构另一端的末端通过其下方的牺牲材料层固定于所述半导体衬底上;其中,所述第一检测质量块包括第一质量元件和与所述第一质量元件相连接的第一叉指结构,第二检测质量块包括第二质量元件和与所述第二质量元件相连接的第二叉指结构。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |