| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供半导体器件及其制造方法，不出现不良情况地使SOI晶片相对于半导体制造装置所具备的静电卡盘吸附、脱离。在构成SOI晶片的绝缘膜(CL)上形成了由半导体层(SL)构成的矩形光波导(PO)、光相位移位器(PS)以及光调制器(PC)后，将在SOI晶片的背面形成的背面绝缘膜去除。在俯视图中不与矩形光波导(PO)、光相位移位器(PS)以及光调制器(PC)重叠的位置，在绝缘膜(CL)上形成自绝缘膜(CL)的上表面起具有第一深度的多个槽(TR)。由此，之后，即使将SOI晶片搭载于半导体制造装置所具备的静电卡盘，也能够使得电荷易于从SOI晶片释放，因此电荷不易蓄积于SOI晶片的背面。 | ||
| 申请公布号 | CN106024689A | 申请公布日期 | 2016.10.12 |
| 申请号 | CN201610034162.6 | 申请日期 | 2016.01.19 |
| 申请人 | 瑞萨电子株式会社 | 发明人 | 宇佐美达矢;坂本圭司;国嶋浩之 |
| 分类号 | H01L21/683(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/683(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 杨宏军;李文屿 |
| 主权项 | 一种半导体器件，具备：半导体衬底；在所述半导体衬底的主面上形成的第一绝缘膜；由在所述第一绝缘膜上形成的半导体层构成的光波导；以及以覆盖所述光波导的方式在所述第一绝缘膜上形成的第二绝缘膜，在所述第一绝缘膜上，在俯视图中不与所述光波导重叠的位置形成有自所述第一绝缘膜的上表面起具有第一深度的槽。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||