一种MgCl₂掺杂的环带γ相聚偏氟乙烯基复合膜的制备方法

摘要

一种MgCl₂掺杂的环带γ相聚偏氟乙烯基复合膜的制备方法，包括以下步骤：1）使用N,N二甲基甲酰胺DMF作为溶剂配制聚偏氟乙烯/MgCl₂共混溶液；2）在热台上将不同质量比例的共混溶液制成薄膜，将薄膜夹在两个透明玻璃板间制成“三明治”结构；3)将2)中制得的不同质量比例的共混薄膜消除热历史，然后降温、等温结晶，并施加至共混薄膜完全结晶；4)将共薄膜使用红外光谱，拉曼光谱，示差扫描量热仪，偏光显微镜，扫描电子显微镜等手段表征聚偏氟乙烯基复合薄膜的晶型为γ晶型以及γ晶型的形貌特征；主要工艺简单，操作方便，制备周期短，可实现较大尺寸以及特殊环带形貌γ型聚偏氟乙烯基复合薄膜的制备，γ型聚偏氟乙烯具有不同于α型聚偏氟乙烯独特的电性。

主权项

一种MgCl₂掺杂的环带γ相聚偏氟乙烯基复合膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）将MgCl₂粉体使用研钵研磨为平均粒径0.5μm的颗粒，称取质均分子量为107000的聚偏氟乙烯粒料，用N,N二甲基甲酰胺(DMF)作为溶剂配制浓度为5%的不同质量比的聚偏氟乙烯/MgCl₂共混溶液，共混比例分别为100:0，99:1，95:5，90:10；2）在80℃的热台上使用旋转涂膜法将不同质量比例的共混溶液制成厚度为0.5μm的共混薄膜，将共混薄膜裁剪到大小为10mm×10mm×0.5μm的薄膜，将其夹在尺寸为15mm×15mm×1mm的两个透明玻璃板间，制成三明治结构的共混薄膜；3）将步骤2）中制得的不同质量比例的共混薄膜在200℃～230℃的恒温热台上熔融5min消除热历史，以50℃/min的速率降温至150℃～165℃等温结晶0.5h~8h，并施加5MPa的压力，至共混薄膜完全结晶；4）将结晶后的共混薄膜用红外光谱，拉曼光谱，示差扫描量热仪，偏光显微镜及扫描电子显微镜表征聚偏氟乙烯基复合薄膜的晶型为γ晶型以及环带γ晶型的形貌特征。