一种抗PID单晶太阳电池镀双层减反射膜工艺

摘要

本发明涉及一种抗PID单晶太阳电池镀双层减反射膜工艺。其特点是，包括如下步骤：(1)在去磷硅玻璃后的硅片上生长一层氧化层，具体采用紫外氧化工艺，工艺温度控制在350～400℃，氧气流量控制在4～10L/min，时间控制在20‑50s，在硅片表面形成致密氧化层；(2)将硅片插入石墨舟后送进炉管；(3)炉管抽真空，使炉管内压力降到35mtorr以下；(4)给炉管通入氨气6000～6200sccm，控制炉管内压力在1600～1700mtorr，温度控制在425℃，打开射频电源。经过试用证明，采用本发明的方法后，可以通过紫外氧化和PECVD工序很好的解决太阳电池PID效应。

主权项

一种抗PID单晶太阳电池镀双层减反射膜工艺，其特征在于，包括如下步骤：(1)在去磷硅玻璃后的硅片上生长一层氧化层，具体采用紫外氧化工艺，工艺温度控制在350～400℃，氧气流量控制在4～10L/min，时间控制在20‑50s，在硅片表面形成致密氧化层；(2)将硅片插入石墨舟后送进炉管；(3)炉管抽真空，使炉管内压力降到35mtorr以下；(4)给炉管通入氨气6000～6200sccm，控制炉管内压力在1600～1700mtorr，温度控制在425℃，打开射频电源，控制射频电源功率6500～6650w，占空比4:45，持续时间300～330秒；(5)关闭射频电源，抽真空使炉内压力降到35mtorr以下，通入氮气，氮气流量10000～20000sccm，使炉管内压力恢复至常压，停止通气，再抽真空使炉管内压力降到35毫托以下，通入氮气，氮气流量10000～20000sccm，使炉管内压力恢复常压，停止通气；(6)抽真空使炉管内压力降到35mtorr以下，通入氨气，氨气流量6000～6200sccm，通入硅烷，硅烷流量800～850sccm，炉管压力控制在1600～1700mtorr，温度控制在425℃，打开射频电源，射频电源功率6500～6650w，占空比3:36，持续时间120～130秒；(7)关闭射频电源，抽真空使炉管内压力降至35mtorr以下，通入氮气，氮气流量10000～20000sccm，使炉管压力恢复常压，停止通气；(8)抽真空使炉管内压力降至35mtorr以下，通入氨气，氨气流量5300～5500sccm，通入硅烷，硅烷流量580～680sccm，炉管压力控制在1600～1700mtorr，温度控制在425℃，打开射频电源，射频电源功率6500～6650w，占空比3:36，持续时间620～630秒；(9)关闭射频电源，抽真空使炉管内压力降至35mtorr以下，通入氮气，氮气流量10000～20000sccm，使炉管压力恢复常压，停止通气。