半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种性能改进的半导体器件。在该半导体器件中，形成于存储器单元中的偏移间隔件由硅氧化物膜和硅氮化物膜的层压膜形成，并且硅氧化物膜特别地形成为与存储器栅极电极的侧壁以及电荷储存膜的侧端部分直接接触；另一方面，形成于MISFET中的偏移间隔件由硅氮化物膜形成。特别地在MISFET中，硅氮化物膜与栅极电极的侧壁以及高介电常数膜的侧端部分直接接触。

主权项

一种半导体器件，包括非易失性存储器单元和场效应晶体管，所述半导体器件包括：半导体衬底；绝缘膜，被形成在所述半导体衬底之上并且包括电荷储存膜；第一栅极电极，被形成在所述绝缘膜之上并且用于存储器单元；第一偏移间隔件，被形成在所述第一栅极电极的侧壁之上并且包含与所述电荷储存膜接触的硅氧化物膜；栅极绝缘膜，被形成在所述半导体衬底之上并且包含金属化合物；第二栅极电极，被形成在所述栅极绝缘膜之上并且用于所述场效应晶体管；以及第二偏移间隔件，被形成在所述第二栅极电极的侧壁之上并且包含与所述栅极绝缘膜接触的硅氮化物膜。