| 发明名称 | 一种无硼或稀土元素的致密碳化硅陶瓷的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种无硼或稀土元素的致密碳化硅陶瓷的制备方法，包括：1）将铝源、碳源、碳化硅粉体和无水乙醇均匀混合后烘干、研磨过筛后得到混合粉体，并采用混合粉体压制得到陶瓷素坯；2）将陶瓷素坯在真空、650℃～1050℃下加热裂解；3）将热裂解后的陶瓷坯体在氮气气氛、1550℃～1750℃下进行碳热还原反应；4）将碳热还原反应后的陶瓷素坯在惰性气氛、2050℃～2300℃下烧结得到致密碳化硅陶瓷。采用本发明方法制备的碳化硅陶瓷中含有Si、Al、C、O和N元素，均为中子吸收截面小的元素，不含中子吸收截面大的B或稀土元素。 | ||
| 申请公布号 | CN104926309B | 申请公布日期 | 2016.10.12 |
| 申请号 | CN201510323350.6 | 申请日期 | 2015.06.12 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 刘桂玲;苏碧哲;黄政仁;刘学建;陈忠明;杨勇;姚秀敏 |
| 分类号 | C04B35/565(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/565(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人 | 曹芳玲;郑优丽 |
| 主权项 | 一种无硼或稀土元素的致密碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，包括：1）将铝源、碳源、碳化硅粉体和无水乙醇均匀混合后烘干、研磨过筛后得到混合粉体，并采用混合粉体压制得到陶瓷素坯；2）将陶瓷素坯在真空、650℃～1050℃下加热裂解；3）将热裂解后的陶瓷坯体在氮气气氛、1550℃～1750℃下进行碳热还原反应；4）将碳热还原反应后的陶瓷素坯在惰性气氛、2050℃～2300℃下烧结得到致密碳化硅陶瓷；所述碳化硅粉体的平均粒径为亚微米级。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区定西路1295号 | ||