发明名称 | 一种选择区域外延生长界面改善方法 | ||
摘要 | 本发明涉及半导体外延工艺的技术领域,更具体地,涉及一种选择区域外延生长界面改善方法。包括下述步骤。首先提供所需外延生长的衬底,在所述衬底上依次沉积应力缓冲层以及GaN缓冲层,获得进行选择区域外延的模板。在所述模板上淀积一层介质层,作为掩膜层,采用光刻显影技术及湿法腐蚀去除需要外延AlGaN的区域的介质层,实现对掩膜层的图形化。最后在未被掩蔽的区域依次沉积低气压生长的GaN插入层,常规生长GaN沟道层以及AlGaN势垒层。本发明工艺简单,能够有效改善选择区域外延界面性能,提高选择区域外延层质量,降低外延层中的体漏电流及肖特基二极管反向漏电流。 | ||
申请公布号 | CN106024588A | 申请公布日期 | 2016.10.12 |
申请号 | CN201610572224.9 | 申请日期 | 2016.07.20 |
申请人 | 中山大学 | 发明人 | 刘扬;李柳暗;杨帆 |
分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人 | 陈卫 |
主权项 | 一种选择区域外延生长界面改善方法,其特征在于,在选择区域外延AlGaN势垒层之前沉积低气压生长的GaN插入层,将二维电子气沟道与生长界面分离并有效改善界面性能,具体包含以下步骤:S1. 提供一种衬底(1);S2. 在衬底(1)上生长应力缓冲层(2);S3. 在应力缓冲层上生长GaN缓冲层(3);S4. 在GaN缓冲层(3)上沉积一层SiO<sub>2</sub>,作为掩膜层(7);S5. 采用光刻显影技术及湿法腐蚀去除需要外延AlGaN的区域的介质层, 实现对掩膜层的图形化;S6. 在未被掩蔽的区域沉积低气压生长的GaN插入层(4);S7. 在低气压生长的GaN插入层(4)上沉积常规生长的GaN沟道层(5);S8. 在GaN沟道层(5)沉积AlGaN势垒层(6),并刻蚀去掉掩膜层。 | ||
地址 | 510275 广东省广州市新港西路135号 |