光电转换装置及相机

摘要

本公开内容涉及光电转换装置和相机。光电转换装置包括第一导电类型的电荷累积区域、第二导电类型的第一半导体区域、第二导电类型的第二半导体区域以及元件隔离部。第一半导体区域被布置成从电荷累积区域和元件隔离部之间的部分向下延伸，并且第二半导体区域包括布置在电荷累积区域下方的部分，以及电荷累积区域、第一半导体区域和第二半导体区域在深度方向上的杂质浓度分布在深度Rp1、Rp2和Rp3处分别具有峰值，且满足Rp1<Rp2<Rp3。第一半导体区域在深度Rp2处的杂质浓度C1比第二半导体区域在Rp3处的杂质浓度C2高。

主权项

一种光电转换装置，其特征在于，包括：第一导电类型的电荷累积区域，所述电荷累积区域被布置在半导体衬底中；不同于第一导电类型的第二导电类型的第一半导体区域，所述第一半导体区域被布置在半导体衬底中；以及第二导电类型的第二半导体区域，所述第二半导体区域被布置在半导体衬底中；以及由绝缘体构成的元件隔离部，所述元件隔离部被布置在半导体衬底上，其中，第一半导体区域被布置成从电荷累积区域和元件隔离部之间的部分向下延伸，并且第二半导体区域包括布置在电荷累积区域下方的部分，以及电荷累积区域在半导体衬底的深度方向上的杂质浓度分布在深度Rp1处具有峰值，第一半导体区域在所述深度方向上的杂质浓度分布在深度Rp2处具有峰值，第二半导体区域在所述深度方向上的杂质浓度分布在深度Rp3处具有峰值，且满足Rp1<Rp2<Rp3令C1是第一半导体区域在深度Rp2处的杂质浓度且C2是第二半导体区域在深度Rp3处的杂质浓度，则满足C1>C2。