| 发明名称 | 存储装置 | ||
| 摘要 | 本发明的实施方式提供一种存储单元间的干扰较少的存储装置。实施方式的存储装置具备：第1配线，其沿第1方向延伸；第2配线，其沿相对于所述第1方向交叉的第2方向延伸；第1层，其设置在所述第1配线的表面上的至少一部分；第2层，其设置在所述第2配线的表面上的至少一部分；及第3层，其设置在所述第1配线与所述第2配线之间，且与所述第1层及所述第2层接触。所述第1层包含第14族的第1元素，所述第2层包含第15族的第2元素及第16族的第3元素，所述第3层包含所述第1元素、所述第2元素及所述第3元素。 | ||
| 申请公布号 | CN106024826A | 申请公布日期 | 2016.10.12 |
| 申请号 | CN201510555747.8 | 申请日期 | 2015.09.02 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 山本和彦;铃木都文 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 张世俊 |
| 主权项 | 一种存储装置，其特征在于具备：第1配线，其沿第1方向延伸；第2配线，其沿相对于所述第1方向交叉的第2方向延伸；第1层，其设置在所述第1配线的表面上的至少一部分；第2层，其设置在所述第2配线的表面上的至少一部分；及第3层，其设置在所述第1配线与所述第2配线之间，且与所述第1层及所述第2层接触；且所述第1层包含第14族的第1元素，所述第2层包含第15族的第2元素及第16族的第3元素，所述第3层包含所述第1元素、所述第2元素及所述第3元素。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||