发明名称 一种高饱和磁化强度MnAlB永磁合金及其制备方法
摘要 本发明涉及一种高饱和磁化强度MnAlB永磁合金及其制备方法,MnAlB永磁合金的名义分子式为(Mn<sub>0.55</sub>Al<sub>0.45</sub>)<sub>x</sub>B<sub>y</sub>,其中,0<y<2,x=100‑y。与现有技术相比,本发明通过元素掺杂调控锰原子间距提高原子间的铁磁性耦合,导致饱和磁化强度大幅度的提高;硼元素的引入会阻碍磁畴运动,对矫顽力有积极作用。同时MnAlB淬态薄带的τ相转变温度与MnAl合金相比降低30‑40℃,易于工业化生产。
申请公布号 CN106011566A 申请公布日期 2016.10.12
申请号 CN201610364282.2 申请日期 2016.05.27
申请人 同济大学 发明人 陆伟;牛俊超;王韬磊;向震;马尚军
分类号 C22C22/00(2006.01)I;B22D11/06(2006.01)I;C22F1/02(2006.01)I;C22F1/16(2006.01)I;H01F1/053(2006.01)I 主分类号 C22C22/00(2006.01)I
代理机构 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 代理人 褚明伟
主权项 一种高饱和磁化强度MnAlB永磁合金,其特征在于,其名义分子式为(Mn<sub>0.55</sub>Al<sub>0.45</sub>)<sub>x</sub>B<sub>y</sub>,其中,0<y<2,x=100‑y。
地址 200092 上海市杨浦区四平路1239号