发明名称 一种半导体整流桥焊接制备方法
摘要 本发明公开了一种半导体整流桥焊接制备方法,采用的是锡膏网印工艺,锡膏通过与芯片尺寸匹配网板上的网孔,采用刮刀水平均匀的将锡膏印刷至框架凸点及平台位置。由于网印板上的网孔大小一致,通过网板印刷最大程度的保证了锡膏量的均匀性。芯片采用真空吸笔方式吸取晶粒定位,由于吸笔不会直接与芯片表面接触,靠真空将芯片吸起,故解决了芯片受力暗裂之风险,同时也有效保证了芯片的准确定位。
申请公布号 CN106001824A 申请公布日期 2016.10.12
申请号 CN201610307661.8 申请日期 2016.05.11
申请人 山东迪一电子科技有限公司 发明人 陈钢全;张胜君;王刚
分类号 B23K1/008(2006.01)I;B23K1/20(2006.01)I;B23K3/08(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;B23K101/36(2006.01)N 主分类号 B23K1/008(2006.01)I
代理机构 济南泉城专利商标事务所 37218 代理人 肖健
主权项 一种半导体整流桥焊接制备方法,其特征在于:所述半导体整流桥包括粘结为整体的上框架、下框架和整流芯片,所述上框架和下框架均设有凸点和平台,所述整流芯片粘结在上框架和下框架之间,其制备方法依次包括如下步骤:步骤1,将上下框架分别放置在对应位置的料仓内,上下框架均设有凸点及平台;步骤2,自动网印机自动抓取框架定位于网印板下方的载板上定位,网印板与框架无缝对接,锡膏通过网印板印刷至框架焊接位置,即上下框架上的凸点及平台,然后将锡膏网印后的上下框架自动抓取至石墨板上定位;步骤3, 芯片采用具有分向功能的摇盘定位,采用吸笔利用真空负压原理将芯片从摇盘中吸取后定位于框架平台片,上下框架的平台处各放置2颗芯片;步骤4,将上下框架合片后进炉焊接。
地址 250000 山东省济宁市经济开发区创业路北