发明名称 METHOD FOR FORMING AMORPHOUS CONDUCTIVE OXIDE FILM
摘要 기판상에, (A1)란탄족(단, 세륨을 제외함)에서 선택되는 금속의 카르복실산염, 알콕사이드, 디케토네이트, 질산염 및 할로겐화물로 이루어지는 군에서 선택되는 금속 화합물 1종 이상 a×y몰부, (A2)납, 비스무스, 니켈, 팔라듐, 구리 및 은으로부터 선택되는 금속의 카르복실산염, 알콕사이드, 디케토네이트, 질산염 및 할로겐화물로 이루어지는 군에서 선택되는 금속 화합물 1종 이상 a×(1- y)몰부, 및 (B)루테늄, 이리듐, 로듐 및 코발트로부터 선택되는 금속의 카르복실산염, 알콕사이드, 디케토네이트, 질산염, 할로겐화물, 니트로실카르복실산염, 니트로실질산염, 니트로실황산염 및 니트로실할로겐화물로 이루어지는 군에서 선택되는 금속 화합물 1종 이상 1몰부 및 (C)카르복실산, 알코올, 케톤, 디올 및 글리콜에테르로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상을 함유하는 용매를 함유하는 조성물을 도포하여 도막을 형성하고, 상기 도막을 산화성 분위기 하에 가열하는 공정을 거치는 것을 특징으로 하는, 비정질 도전성 산화물 막의 형성 방법.
申请公布号 KR101665829(B1) 申请公布日期 2016.10.12
申请号 KR20147001566 申请日期 2012.11.15
申请人 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 카가쿠기쥬츠신코키코 发明人 시모다, 다쯔야;리, 진왕
分类号 H01L21/336;H01L29/786 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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