发明名称 |
一种用于晶体硅片的回刻装置 |
摘要 |
本实用新型公开了一种用于晶体硅片的回刻装置,包括回刻槽、HF承载槽和H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>承载槽,还设有控温槽,所述HF承载槽设于控温槽之内;所述HF承载槽的顶部通过气体导管和H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>承载槽联通;H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>承载槽与回刻槽通过管道联通;回刻槽和HF承载槽不联通。本实用新型通过在HF承载槽外围设置控温槽,控制HF的挥发性,再使用压缩干燥空气携带挥发的HF气体进入到H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>液体中,形成了浓度稳定的回刻液,最终稳定地控制了回刻浓度,可稳定的去除扩散后死层。 |
申请公布号 |
CN205645847U |
申请公布日期 |
2016.10.12 |
申请号 |
CN201620427498.4 |
申请日期 |
2016.05.12 |
申请人 |
盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 |
发明人 |
周军;晏文春;党继东 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 |
代理人 |
陆金星 |
主权项 |
一种用于晶体硅片的回刻装置,包括回刻槽(1)、HF承载槽(2)和H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>承载槽(3),其特征在于:还设有控温槽(4),所述HF承载槽设于控温槽之内;所述HF承载槽的顶部通过气体导管(5)和H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>承载槽联通;H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>承载槽与回刻槽通过管道(6)联通;回刻槽和HF承载槽不联通。 |
地址 |
224431 江苏省盐城市阜宁县经济开发区协鑫大道88号 |