使用间隔体击穿的反熔丝元件

摘要

公开了用于有效地实现可编程存储器阵列电路架构的技术和电路，该架构包括非易失性和易失性存储器两者。存储器电路采用反熔丝方案，该反熔丝方案包括1T位单元的阵列，其中，每个位单元有效地包含一个栅极或类晶体管器件，该类晶体管器件为该位单元提供反熔丝元件和选择器器件两者。具体来说，位单元器件具有非对称的基于沟槽的源极/漏极接触部，以使得一个接触部结合间隔体和栅极金属形成电容器，并且另一个接触部结合掺杂的扩散区和栅极金属形成二极管。电容器用作位单元的反熔丝元件，并且可以通过击穿间隔体来进行编程。二极管有效地提供了肖特基结，该肖特基结用作可以消除来自共享相同位线/字线的位单元的编程和读取干扰的选择器器件。

主权项

一种存储器设备位单元，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有表面；扩散区，所述扩散区位于所述半导体衬底的所述表面上或所述表面中；第一垂直电介质间隔体和第二垂直电介质间隔体，所述间隔体中的至少一个间隔体位于所述扩散区之上并与所述扩散区接触；金属，所述金属沉积在所述第一垂直电介质间隔体与所述第二垂直电介质间隔体之间并与所述第一垂直电介质间隔体和所述第二垂直电介质间隔体接触，所述金属还至少部分地与所述扩散区接触；第一基于沟槽的导电接触部，所述第一基于沟槽的导电接触部未与所述扩散区接触，但结合所述第一垂直电介质间隔体和所述金属形成反熔丝元件；以及第二基于沟槽的导电接触部，所述第二基于沟槽的导电接触部与所述扩散区接触，并且结合所述扩散区和所述金属形成选择器元件。