发明名称 半导体装置
摘要 本发明涉及半导体装置。目的在于提供能够在电压调节器生成的内部电源电压高压化时从该内部电源电压保护内部电路的半导体装置。具有:电压调节器,基于电源电压来生成内部电源电压,将其施加到电源线;内部电路,经由电源线和接地线接受内部电源电压的供给;以及保护电路,包含被达林顿连接的每一个PNP型的第一~第N晶体管,第一~第N晶体管各自的集电极端子连接于接地线,第一~第N晶体管之中的第一晶体管的发射极端子连接于电源线,并且,第N晶体管的基极端子连接于接地线。
申请公布号 CN106020315A 申请公布日期 2016.10.12
申请号 CN201610170888.2 申请日期 2016.03.24
申请人 拉碧斯半导体株式会社 发明人 川添卓
分类号 G05F1/565(2006.01)I 主分类号 G05F1/565(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 闫小龙;陈岚
主权项 一种半导体装置,其特征在于,具有:电压调节器,基于电源电压来生成具有比所述电源电压的电压值低的电压值的内部电源电压,将所述内部电源电压施加到电源线;内部电路,经由所述电源线和接地线接受所述内部电源电压的供给;以及保护电路,包含被达林顿连接的每一个PNP型的第一~第N晶体管,所述第一~第N晶体管各自的集电极端子连接于所述接地线,所述第一~第N晶体管之中的第一晶体管的发射极端子连接于所述电源线,并且,所述第一~第N晶体管之中的第N晶体管的基极端子连接于所述接地线,其中,N为2以上的整数。
地址 日本神奈川县横滨市