发明名称 |
一种基于高质量均匀分布预制铜层的铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种基于高质量均匀分布预制铜层的铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法。制备步骤为:在衬底上制备钼背电极并对钼背电极进行前期预处理,再在预处理后的钼背电极上依次制备吸收层、缓冲层、本征氧化锌层、掺铝氧化锌层和上电极。钼背电极的制备和前期预处理的步骤为:(1)利用溅射方法,在衬底上沉积钼背电极;(2)将沉积有钼背电极的衬底表面进行清洗,再用去离子水冲洗,氮气吹干;(3)将经步骤(2)处理过的衬底浸泡在腐蚀液中超声腐蚀,再用去离子水冲洗,氮气吹干。本发明制备的金属预制铜层表面平整、粗糙度小;制备的铜铟镓硒薄膜晶粒大小一致,分布均匀;制备的铜铟镓硒薄膜太阳能电池均匀性好、转换效率高。 |
申请公布号 |
CN106024930A |
申请公布日期 |
2016.10.12 |
申请号 |
CN201610606526.3 |
申请日期 |
2016.07.27 |
申请人 |
华南理工大学 |
发明人 |
汤勇;张晓清;黄云翔;陆龙生;袁伟;万珍平;李宗涛 |
分类号 |
H01L31/032(2006.01)I;H01L31/0749(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/032(2006.01)I |
代理机构 |
广州粤高专利商标代理有限公司 44102 |
代理人 |
何淑珍 |
主权项 |
一种基于高质量均匀分布预制铜层的铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:在衬底上制备钼背电极并对制得的钼背电极进行前期预处理,再在预处理后的钼背电极上依次制备吸收层、缓冲层、本征氧化锌层、掺铝氧化锌层和上电极,得到所述基于高质量均匀分布预制铜层的铜铟镓硒薄膜太阳能电池。 |
地址 |
510640 广东省广州市天河区五山路381号 |