发明名称 METHOD FOR ADJUSTING THE PROPERTIES OF A PHOTONIC CIRCUIT BY ION IMPLANTATION AFTER MANUFACTURING, WAVEGUIDE AND PHOTONIC CIRCUIT THUS ADJUSTED
摘要 L'invention porte sur un procédé d'ajustement des propriétés d'un circuit photonique pour les faire coïncider avec des propriétés attendues, le circuit photonique comportant un guide d'ondes (10) qui comprend une région (20) de propagation de la lumière, caractérisé en ce qu'il comporte une étape de modification de l'indice de réfraction d'au moins une zone de ladite région, ladite étape étant mise en oeuvre au moyen d'une implantation ionique dans l'au moins une zone (21). Elle s'étend à un guide d'ondes dont la région de propagation de la lumière présente au moins une zone à indice de réfraction modifié par implantation ionique dans laquelle la lumière reste confinée, ainsi qu'à un circuit photonique incorporant un tel guide.
申请公布号 EP3078996(A1) 申请公布日期 2016.10.12
申请号 EP20160164200 申请日期 2016.04.07
申请人 COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIESALTERNATIVES 发明人 HASSAN, KARIM;SCIANCALEPORE, CORRADO;BEN BAKIR, BADHISE;MENEZO, SYLVIE
分类号 G02B6/134;G02B6/12 主分类号 G02B6/134
代理机构 代理人
主权项
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