| 发明名称 | 半导体器件结构的结构和形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了半导体器件结构的结构和形成方法。该半导体器件结构包括位于半导体衬底上方的栅极堆叠件。该半导体器件结构也包括位于半导体衬底上方的源极/漏极结构，并且源极/漏极结构包括掺杂剂。该半导体器件结构还包括位于栅极堆叠件下方的沟道区。此外，该半导体器件结构包括围绕源极/漏极结构的半导体层。半导体层配置为防止掺杂剂进入沟道区。 | ||
| 申请公布号 | CN106024767A | 申请公布日期 | 2016.10.12 |
| 申请号 | CN201510798938.7 | 申请日期 | 2015.11.18 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈隆;郭康民;詹文炘 |
| 分类号 | H01L25/07(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/07(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件结构，包括：栅极堆叠件，位于半导体衬底上方；源极/漏极结构，位于所述半导体衬底上方，其中，所述源极/漏极结构包括掺杂剂；沟道区，位于所述栅极堆叠件下方；以及半导体层，围绕所述源极/漏极结构，其中，所述半导体层配置为防止所述掺杂剂进入所述沟道区。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||